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FDB86366_F085

安森美(ONSEMI)图标
FET - 单
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N-CH 80V 110A TO263
原厂封装：TO-263-3，DPak
优势价格，FDB86366_F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDB86366_F085的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号: FDB86366_F085
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  • 系列: PowerTrench
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 80V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 110A（Tc）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3.6 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 112nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 6280pF @ 40V
  • 功率 - 最大值: 176W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
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