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ESDL2012MX4T5G

安森美(ONSEMI)图标
电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN
原厂封装：封装:2-DFN（0.6x0.3）
优势价格，ESDL2012MX4T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDL2012MX4T5G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:ESDL2012MX4T5G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:2-DFN（0.6x0.3）
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:1V（最大）
  • 电压 - 击穿（最小值）:1.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:5.2V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):8A
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:无
  • 应用:USB
  • 不同频率时电容:0.18pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0201（0603 公制）
  • 供应商器件封装:2-DFN（0.6x0.3）
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