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ENGNVBG030N120M3S-B4

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：SIC DISCRETES
原厂封装：封装:-
优势价格，ENGNVBG030N120M3S-B4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ENGNVBG030N120M3S-B4的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:ENGNVBG030N120M3S-B4
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SIC DISCRETES
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • FET 类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压（Vdss）:-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
  • 想获取ENGNVBG030N120M3S-B4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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