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ENGNTH4L016N065M3S
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
ENGNTH4L016N065M3S
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
SIC DISCRETES
原厂封装:
封装:-
优势价格,ENGNTH4L016N065M3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ENGNTH4L016N065M3S的技术资料下载
ENGNTH4L016N065M3S的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:ENGNTH4L016N065M3S
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:SIC DISCRETES
系列:-
包装:管件
产品状态:南皇电子 停止提供
FET 类型:-
技术:-
漏源电压(Vdss):-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:-
供应商器件封装:-
封装/外壳:-
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