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EFC3J018NUZTDG
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
EFC3J018NUZTDG
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
原厂封装:
封装:6-WLCSP(1.77x3.05)
优势价格,EFC3J018NUZTDG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
EFC3J018NUZTDG的技术资料下载
EFC3J018NUZTDG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:EFC3J018NUZTDG
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:6-WLCSP(1.77x3.05)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.7 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):75nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
功率 - 最大值:2.5W(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-XFBGA,WLCSP
供应商器件封装:6-WLCSP(1.77x3.05)
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