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NXH35C120L2C2S1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
原厂封装：26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
优势价格，NXH35C120L2C2S1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NXH35C120L2C2S1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NXH35C120L2C2S1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 配置：三相反相器，带制动器
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
  • 功率-最大值：20mW
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，35A
  • 电流-集电极截止（最大值）：250A
  • 不同Vce时输入电容(Cies)：8.33nF @ 20V
  • 输入：三相桥式整流器
  • NTC热敏电阻：是
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
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