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NXH35C120L2C2ESG
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NXH35C120L2C2ESG价格
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NXH35C120L2C2ESG技术资料
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NXH35C120L2C2ESG
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
原厂封装：
26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
优势价格，NXH35C120L2C2ESG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NXH35C120L2C2ESG的技术资料下载
NXH35C120L2C2ESG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NXH35C120L2C2ESG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
系列：晶体管 - IGBT - 模块
零件状态：有源
IGBT类型：-
配置：三相反相器，带制动器
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
功率-最大值：20mW
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，35A
电流-集电极截止（最大值）：250μA
不同?Vce时输入电容(Cies)：8.333nF @ 20V
输入：三相桥式整流器
NTC热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
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