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NXH350N100H4Q2F2S1G的图片

NXH350N100H4Q2F2S1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
原厂封装：模块
优势价格，NXH350N100H4Q2F2S1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NXH350N100H4Q2F2S1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NXH350N100H4Q2F2S1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 配置：三级反相器
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1000V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：303A
  • 功率-最大值：276W
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，375A
  • 电流-集电极截止（最大值）：1mA
  • 不同Vce时输入电容(Cies)：24.146nF @ 20V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：是
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：模块
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