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NXH350N100H4Q2F2S1G
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NXH350N100H4Q2F2S1G价格
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NXH350N100H4Q2F2S1G技术资料
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NXH350N100H4Q2F2S1G
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
原厂封装:
模块
优势价格,NXH350N100H4Q2F2S1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NXH350N100H4Q2F2S1G的技术资料下载
NXH350N100H4Q2F2S1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NXH350N100H4Q2F2S1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
配置:三级反相器
电压-集射极击穿(最大值):1000V
电流-集电极(Ic)(最大值):303A
功率-最大值:276W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,375A
电流-集电极截止(最大值):1mA
不同?Vce时输入电容(Cies):24.146nF @ 20V
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:模块
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