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NXH350N100H4Q2F2S1G的图片

NXH350N100H4Q2F2S1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
原厂封装:模块
优势价格,NXH350N100H4Q2F2S1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NXH350N100H4Q2F2S1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NXH350N100H4Q2F2S1G
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 配置:三级反相器
  • 电压-集射极击穿(最大值):1000V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):303A
  • 功率-最大值:276W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,375A
  • 电流-集电极截止(最大值):1mA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):24.146nF @ 20V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:模块
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