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NVTFS6H860NWFTAG

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
原厂封装:8-WDFN(3.3x3.3)
优势价格,NVTFS6H860NWFTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVTFS6H860NWFTAG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NVTFS6H860NWFTAG
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Ta),30A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):21.1 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 30μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.7nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):510pF @ 40V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),46W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)
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  • 电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
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  • 光隔离器 - 双向可控硅,SCR 输出
    FODM3022R4
  • 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能,可配置
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  • 接口 - 驱动器,接收器,收发器
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