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NVTFS6H854NLWFTAG

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
原厂封装:8-WDFN(3.3x3.3)
优势价格,NVTFS6H854NLWFTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVTFS6H854NLWFTAG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NVTFS6H854NLWFTAG
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta),41A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13.4 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 45μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):902pF @ 40V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),54W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)
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  • 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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  • 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器
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  • 图像传感器、摄像头
    NOIX1SE9400B-LTI
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