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NVTFS5826NLTWG
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NVTFS5826NLTWG技术资料
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NVTFS5826NLTWG
单端场效应管
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
原厂封装:
8-WDFN
优势价格,NVTFS5826NLTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVTFS5826NLTWG的技术资料下载
NVTFS5826NLTWG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NVTFS5826NLTWG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 25V
功率 - 最大值:3.2W
安装类型:表面贴装
产品封装:8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)
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