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NVMYS5D3N04CTWG
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NVMYS5D3N04CTWG技术资料
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NVMYS5D3N04CTWG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
原厂封装:
4-LFPAK
优势价格,NVMYS5D3N04CTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMYS5D3N04CTWG的技术资料下载
NVMYS5D3N04CTWG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NVMYS5D3N04CTWG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:Automotive, AEC-Q101
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C时电流-连续漏极(Id):19A(Ta),71A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 35A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1000pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.6W(Ta),50W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:4-LFPAK
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