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NVMYS2D9N04CLTWG
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NVMYS2D9N04CLTWG价格
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NVMYS2D9N04CLTWG技术资料
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NVMYS2D9N04CLTWG
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
原厂封装：
LFPAK4（5x6）
优势价格，NVMYS2D9N04CLTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMYS2D9N04CLTWG的技术资料下载
NVMYS2D9N04CLTWG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NVMYS2D9N04CLTWG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），110A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 40A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 60μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2100pF @ 20V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），68W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：LFPAK4（5x6）
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