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NVMYS1D3N04CTWG的图片

NVMYS1D3N04CTWG

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：TRENCH 6 40V SL NFET

原厂封装：LFPAK4（5x6）

优势价格，NVMYS1D3N04CTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NVMYS1D3N04CTWG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NVMYS1D3N04CTWG

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：TRENCH 6 40V SL NFET

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：有源

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

器件封装：LFPAK4（5x6）

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