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NVMSD6N303R2G的图片

NVMSD6N303R2G

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

原厂封装：8-SOIC

优势价格，NVMSD6N303R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NVMSD6N303R2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NVMSD6N303R2G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：950pF @ 24V

FET功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-SOIC

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