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NVMFS6B03NLT1G
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NVMFS6B03NLT1G价格
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NVMFS6B03NLT1G技术资料
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NVMFS6B03NLT1G
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
原厂封装：
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
优势价格，NVMFS6B03NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFS6B03NLT1G的技术资料下载
NVMFS6B03NLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NVMFS6B03NLT1G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：145A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.4nC @ 10V
Vgs（最大值）：±16V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5320pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），198W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
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