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NVMFS4C05NT1G
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NVMFS4C05NT1G技术资料
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NVMFS4C05NT1G
单端场效应管
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
原厂封装：
5-DFN
优势价格，NVMFS4C05NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFS4C05NT1G的技术资料下载
NVMFS4C05NT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NVMFS4C05NT1G
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：24.7A（Ta），116A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1972pF @ 15V
功率 - 最大值：3.61W
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：8-PowerTDFN， 5 引线
器件封装：5-DFN， 8-SO 扁引线 （5x6）
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