安森美代理商
渠道，安森美芯片一站式采购平台
安森美(ONSEMI)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
首页
ON安森美
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
NVMFS020N06CT1G
|
NVMFS020N06CT1G价格
|
NVMFS020N06CT1G技术资料
|
NVMFS020N06CT1G
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
原厂封装：
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
优势价格，NVMFS020N06CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFS020N06CT1G的技术资料下载
NVMFS020N06CT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NVMFS020N06CT1G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19.6 毫欧 @ 4A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.8nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：355pF @ 30V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3.4W（Ta），31W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
想获取NVMFS020N06CT1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多安森美(ONSEMI)芯片的报价及技术资料
NVMFS6B75NLT1G
晶
NVMFS5C410NLAFT3G
晶
MSB1218A-RT1G
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
NSVMMUN2237LT1G
晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
74HC32DR2G
逻辑 - 栅极和逆变器
SMF17AT1
TVS - 二极管
安森美芯片代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
安森美公司（ONSEMI）授权的国内
安森美代理商
一手货源，大小批量出货
www.onansenmei.com
