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NVMFD6H846NLT1G的图片

NVMFD6H846NLT1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
原厂封装：表面贴装型
优势价格，NVMFD6H846NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVMFD6H846NLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NVMFD6H846NLT1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：卷带（TR）,剪切带（CT）
  • 零件状态：Automotive, AEC-Q101
  • FET类型：有源
  • FET功能：2 N-通道（双）
  • 漏源电压（Vdss）：标准
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：80V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9，4A（Ta），31A（Tc）
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：15 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：2V @ 21A
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：17nC @ 10V
  • 功率-最大值：900pF @ 40V
  • 工作温度：3，2W（Ta），34W（Tc）
  • 安装类型：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 封装：表面贴装型
  • 想获取NVMFD6H846NLT1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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