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NVMFD6H840NLWFT1G
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NVMFD6H840NLWFT1G价格
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NVMFD6H840NLWFT1G技术资料
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NVMFD6H840NLWFT1G
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
T8 80V LL SO8FL DS
原厂封装：
8-PowerTDFN
优势价格，NVMFD6H840NLWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFD6H840NLWFT1G的技术资料下载
NVMFD6H840NLWFT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NVMFD6H840NLWFT1G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：T8 80V LL SO8FL DS
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：80V
25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta），74A（Tc）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.9 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 96μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2002pF @ 40V
功率-最大值：-
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerTDFN
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