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NVMFD6H840NLT1G的图片

NVMFD6H840NLT1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:T8 80V LL SO8FL DS
原厂封装:8-PowerTDFN
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NVMFD6H840NLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NVMFD6H840NLT1G
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:T8 80V LL SO8FL DS
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Ta),74A(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 96μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2002pF @ 40V
  • 功率-最大值:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerTDFN
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