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NVMFD5C668NLT1G的图片

NVMFD5C668NLT1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:T6 60V S08FL DUAL
原厂封装:8-PowerTDFN
优势价格,NVMFD5C668NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVMFD5C668NLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NVMFD5C668NLT1G
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:T6 60V S08FL DUAL
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):15.5A(Ta),68A(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):21.3nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1440pF @ 25V
  • 功率-最大值:3W(Ta),57.5W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerTDFN
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  • 逻辑 - 触发器
    74VHC374M
  • 光隔离器 - 双向可控硅,SCR 输出
    MOC3023FVM
  • 逻辑 - 栅极和逆变器
    NC7SP02P5X
  • 逻辑器件 - 转换器,电平移位器
    FXL3SD206UMX
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