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NVMFD5C650NLWFT1G
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NVMFD5C650NLWFT1G价格
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NVMFD5C650NLWFT1G技术资料
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NVMFD5C650NLWFT1G
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
原厂封装：
8-PowerTDFN
优势价格，NVMFD5C650NLWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFD5C650NLWFT1G的技术资料下载
NVMFD5C650NLWFT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NVMFD5C650NLWFT1G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），111A（Tc）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 98μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2546pF @ 25V
功率-最大值：3.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerTDFN
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