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NVMFD5C650NLT1G
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NVMFD5C650NLT1G价格
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NVMFD5C650NLT1G技术资料
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NVMFD5C650NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
原厂封装:
8-PowerTDFN
优势价格,NVMFD5C650NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFD5C650NLT1G的技术资料下载
NVMFD5C650NLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NVMFD5C650NLT1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:Automotive, AEC-Q101
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):21A(Ta),111A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 98A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):16nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2546pF @ 25V
功率-最大值:3.5W(Ta),125W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerTDFN
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