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NVMFD5483NLT3G

场效应管阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

原厂封装：8-DFN

优势价格，NVMFD5483NLT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NVMFD5483NLT3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NVMFD5483NLT3G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：668pF @ 25V

功率 - 最大值：3.1W

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：8-PowerTDFN

器件封装：8-DFN（5x6） Dual Flag（SO8FL-Dual-Asymmetrical）

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