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NVMFD016N06CT1G
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NVMFD016N06CT1G价格
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NVMFD016N06CT1G技术资料
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NVMFD016N06CT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
原厂封装:
8-PowerTDFN
优势价格,NVMFD016N06CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFD016N06CT1G的技术资料下载
NVMFD016N06CT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NVMFD016N06CT1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:Automotive, AEC-Q101
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta),32A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):16.3 毫欧 @ 5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.9nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):489pF @ 30V
功率-最大值:3.1W(Ta),36W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerTDFN
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