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NVMD6N04R2G的图片

NVMD6N04R2G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
原厂封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，NVMD6N04R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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电话询问价格
NVMD6N04R2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NVMD6N04R2G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.6A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 5.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：900pF @ 32V
  • 功率-最大值：1.29W
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 想获取NVMD6N04R2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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