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    NVMD6N03R2G的图片

    NVMD6N03R2G

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
    原厂封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
    优势价格，NVMD6N03R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NVMD6N03R2G的技术资料下载
    电话询问价格
    NVMD6N03R2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NVMD6N03R2G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：950pF @ 24V
  • 功率-最大值：1.29W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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