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NVD6828NLT4G的图片

NVD6828NLT4G

单端场效应管

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 90V 38A DPAK

原厂封装：DPAK-3

优势价格，NVD6828NLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NVD6828NLT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NVD6828NLT4G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 90V 38A DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：90V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.7A（Ta），41A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：61nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2900pF @ 25V

功率 - 最大值：3.8W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK-3

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