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NVD5865NLT4G的图片

NVD5865NLT4G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

原厂封装：D-Pak

优势价格，NVD5865NLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NVD5865NLT4G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NVD5865NLT4G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Ta），46A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1400pF @ 25V

功率 - 最大值：3.1W

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

器件封装：D-Pak

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