安森美代理，ON代理商，安森美代理商
安森美代理商渠道，安森美芯片一站式采购平台
安森美(ONSEMI)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
ON
  • 首页
  • ON安森美
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | NVD5863NLT4G | NVD5863NLT4G价格 | NVD5863NLT4G技术资料 |
    NVD5863NLT4G的图片

    NVD5863NLT4G

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
    原厂封装：DPAK
    优势价格，NVD5863NLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NVD5863NLT4G的技术资料下载
    电话询问价格
    NVD5863NLT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NVD5863NLT4G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：14.9A（Ta），82A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.1 毫欧 @ 41A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3850pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），96W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DPAK
  • 想获取NVD5863NLT4G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多安森美(ONSEMI)芯片的报价及技术资料
  • NVD5802NT4G-VF01
    晶
    NVD5802NT4G-VF01
  • NVD5807NT4G
    晶
    NVD5807NT4G
  • MPS2369A
    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
    MPS2369A
  • FQP12P10
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    FQP12P10
  • KA324D
    线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓
    KA324D
  • NM93C06LEM8
    存储器
    NM93C06LEM8
    • 安森美芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    安森美公司（ONSEMI）授权的国内安森美代理商一手货源，大小批量出货
    www.onansenmei.com