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NVD5807NT4G

ON图标
单端场效应管
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
原厂封装:D-Pak
优势价格,NVD5807NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVD5807NT4G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号:NVD5807NT4G
  • 制造厂家名称:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):23A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):31 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):603pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:33W
  • 安装类型:表面贴装
  • ON安森美封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 器件封装:D-Pak
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