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    NVD14N03RT4G的图片

    NVD14N03RT4G

    安森美(ONSEMI)图标
    单端场效应管
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
    原厂封装：DPAK-3
    优势价格，NVD14N03RT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NVD14N03RT4G的技术资料下载
    电话询问价格
    NVD14N03RT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NVD14N03RT4G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.8nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：115pF @ 20V
  • 功率 - 最大值：1.04W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：DPAK-3
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