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    NVBG160N120SC1的图片

    NVBG160N120SC1

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK
    原厂封装：D2PAK-7
    优势价格，NVBG160N120SC1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NVBG160N120SC1的技术资料下载
    电话询问价格
    NVBG160N120SC1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NVBG160N120SC1
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）：1200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：19.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：224毫欧 @ 12A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 2，5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.8nC @ 20V
  • Vgs（最大值）：+25V，-15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：678pF @ 800V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK-7
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