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NVATS5A106PLZT4G
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NVATS5A106PLZT4G价格
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NVATS5A106PLZT4G技术资料
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NVATS5A106PLZT4G
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK
原厂封装：
ATPAK
优势价格，NVATS5A106PLZT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVATS5A106PLZT4G的技术资料下载
NVATS5A106PLZT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NVATS5A106PLZT4G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 15A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1380pF @ 20V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：48W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：ATPAK
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