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NTZD5110NT1G的图片

NTZD5110NT1G

场效应管阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

原厂封装：SOT-563

优势价格，NTZD5110NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTZD5110NT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTZD5110NT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：294mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：24.5pF @ 20V

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：SOT-563，SOT-666

器件封装：SOT-563

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场

NTZD5110NT5G

EMI/RFI滤波器

CM1420-03CP

单二极管整流器

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热管理芯片

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单齐纳二极管

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