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NTZD3155CT1H的图片

NTZD3155CT1H

FET - 阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V SOT563

原厂封装：*

优势价格，NTZD3155CT1H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTZD3155CT1H的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: NTZD3155CT1H

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 540mA，430mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 550 毫欧 @ 540mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 150pF @ 16V

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: *

ON安森美封装: *

器件封装: *

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