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NTZD3155CT1G的图片

NTZD3155CT1G

场效应管阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

原厂封装：SOT-563

优势价格，NTZD3155CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTZD3155CT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTZD3155CT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：540mA，430mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 16V

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：SOT-563，SOT-666

器件封装：SOT-563

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