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NTZD3154NT5G
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NTZD3154NT5G技术资料
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NTZD3154NT5G
场效应管阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
原厂封装:
SOT-563
优势价格,NTZD3154NT5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTZD3154NT5G的技术资料下载
NTZD3154NT5G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTZD3154NT5G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):540mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 16V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:SOT-563,SOT-666
器件封装:SOT-563
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