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NTTFD9D0N06HLTWG
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NTTFD9D0N06HLTWG技术资料
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NTTFD9D0N06HLTWG
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
原厂封装：
12-PowerWQFN
优势价格，NTTFD9D0N06HLTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTTFD9D0N06HLTWG的技术资料下载
NTTFD9D0N06HLTWG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NTTFD9D0N06HLTWG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），38A（Tc）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 50μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.5nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：948pF @ 30V
功率-最大值：1.7W（Ta），26W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：12-PowerWQFN
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