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NTTFD2D8N03P1E
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NTTFD2D8N03P1E技术资料
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NTTFD2D8N03P1E
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 12WQFN
原厂封装:
12-PowerWQFN
优势价格,NTTFD2D8N03P1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTTFD2D8N03P1E的技术资料下载
NTTFD2D8N03P1E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTTFD2D8N03P1E
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 30V 12WQFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:PowerTrench
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):16.1A(Ta),80A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.5 毫欧 @ 18A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 400A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):20.8nC @ 10V,20.5nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 15V,1521pF @ 15V
功率-最大值:1.04W(Ta),26W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:12-PowerWQFN
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