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NTR4170NT3G
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NTR4170NT3G技术资料
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NTR4170NT3G
单端场效应管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3
原厂封装:
SOT-23-3
优势价格,NTR4170NT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTR4170NT3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTR4170NT3G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):55 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):432pF @ 15V
功率 - 最大值:780mW
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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