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NTR3C21NZT3G
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NTR3C21NZT3G技术资料
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NTR3C21NZT3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
原厂封装:
SOT-23-3(TO-236)
优势价格,NTR3C21NZT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTR3C21NZT3G的技术资料下载
NTR3C21NZT3G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTR3C21NZT3G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):3.6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 5A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.8nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±8V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1540pF @ 16V
FET功能:-
功率耗散(最大值):470mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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