安森美代理，ON代理商，安森美代理商
安森美代理商渠道，安森美芯片一站式采购平台
安森美(ONSEMI)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
ON
  • 首页
  • ON安森美
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | NTR3A30PZT1G | NTR3A30PZT1G价格 | NTR3A30PZT1G技术资料 |
    NTR3A30PZT1G的图片

    NTR3A30PZT1G

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
    原厂封装：SOT-23-3（TO-236）
    优势价格，NTR3A30PZT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NTR3A30PZT1G的技术资料下载
    电话询问价格
    NTR3A30PZT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NTR3A30PZT1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：38 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1651pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：480mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 想获取NTR3A30PZT1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多安森美(ONSEMI)芯片的报价及技术资料
  • NTR3A052PZT1G
    晶
    NTR3A052PZT1G
  • 2SA1417T-TD-E
    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
    2SA1417T-TD-E
  • MPS2222ARLRAG
    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
    MPS2222ARLRAG
  • CM1442-06CP
    EMI-RFI 滤波器（LC，RC 网络）
    CM1442-06CP
  • FOD410V
    光隔离器 - 双向可控硅，SCR 输出
    FOD410V
    • 安森美芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    安森美公司（ONSEMI）授权的国内安森美代理商一手货源，大小批量出货
    www.onansenmei.com