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NTMYS021N06CLTWG
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NTMYS021N06CLTWG价格
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NTMYS021N06CLTWG技术资料
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NTMYS021N06CLTWG
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
原厂封装：
4-LFPAK
优势价格，NTMYS021N06CLTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMYS021N06CLTWG的技术资料下载
NTMYS021N06CLTWG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NTMYS021N06CLTWG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：9.8A（Ta），27A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 16μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：410pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），28W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：4-LFPAK
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