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NTMTSC1D6N10MCTXG
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NTMTSC1D6N10MCTXG价格
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NTMTSC1D6N10MCTXG技术资料
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NTMTSC1D6N10MCTXG
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
原厂封装：
8-TDFNW（8.3x8.4）
优势价格，NTMTSC1D6N10MCTXG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMTSC1D6N10MCTXG的技术资料下载
NTMTSC1D6N10MCTXG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NTMTSC1D6N10MCTXG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Ta），267A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 90A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 650μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：106nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7630pF @ 50V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：5.1W（Ta），291W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：8-TDFNW（8.3x8.4）
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