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NTMSD2P102R2SG

ON图标
单端场效应管
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
原厂封装:8-SOIC
优势价格,NTMSD2P102R2SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTMSD2P102R2SG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号:NTMSD2P102R2SG
  • 制造厂家名称:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:二极管(隔离式)
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):750pF @ 16V
  • 功率 - 最大值:710mW
  • 安装类型:表面贴装
  • ON安森美封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 器件封装:8-SOIC N
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