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NTMS5P02R2G的图片

NTMS5P02R2G

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

原厂封装：8-SOIC

优势价格，NTMS5P02R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTMS5P02R2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NTMS5P02R2G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：3.95A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 5.4A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 16V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：790mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-SOIC

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