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NTMFS3D6N10MCLT1G的图片

NTMFS3D6N10MCLT1G

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN

原厂封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

优势价格，NTMFS3D6N10MCLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTMFS3D6N10MCLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NTMFS3D6N10MCLT1G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：19.5A（Ta），131A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 48A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 270μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4411pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），136W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

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