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NTMFD4C87NT3G
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NTMFD4C87NT3G技术资料
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NTMFD4C87NT3G
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
原厂封装：
8-PowerTDFN
优势价格，NTMFD4C87NT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMFD4C87NT3G的技术资料下载
NTMFD4C87NT3G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NTMFD4C87NT3G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：11.7A，14.9A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.4 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22.2nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1252pF @ 15V
功率-最大值：1.1W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerTDFN
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